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氮化碳上P调制Cu-N4位点实现CO2光还原制备C2H4及选择性调控

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主讲人:刘煊赫

时间:2023年6月28日

地点:公教楼A107

主讲人简介:

刘煊赫副教授,主要从事二维材料和纳米电催化材料等方面的研究,现主持国家自然科学基金青年项目一项,中央高校基本科研业务费一项,在J. Am. Chem. Soc.,  Adv. Mater.等国际SCI期刊上发表研究论文近20篇。

内容摘要:

进行题为“氮化碳上P调制Cu-N4位点实现CO2光还原制备C2H4及选择性调控”的学术报告,本工作在氮化碳载体上利用P调制Cu-N4位点,制备获得CuACs/PCN高效深度还原CO2光催化剂。在光敏剂和牺牲剂条件下,其光催化CO2还原产C2H4选择性可达53.2%,产率为30.51 μmol·g−1。计算表明,C2H4生成反应路径中CuACs/PCN几乎所有的中间体能级和中间体活化能均低于未掺杂P的CuACs/CN。实验表明,随着P掺杂量的增加,虽然光吸收、光生电子空穴分离效率和CO2吸附能力有所下降,催化剂产C2H4选择性却在提高。